MD2147H3

Intel

MD2147H3

存储器与存储

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

在产18-CDIP存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SRAM - Asynchronous
访问时间55 ns
制造商Intel
安装类型Through Hole
包装Bulk
产品状态在产
写周期时间55ns

电气

存储容量4Kbit
存储格式SRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压4.5V ~ 5.5V
Memory Organization4K x 1

机械

Package / Case18-CDIP
供应商器件封装18-CDIP

环境

工作温度-55°C ~ 125°C (TC)