通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 访问时间 | 150 ns |
| 制造商 | Intel |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | M2114A |
| 写周期时间 | 150ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 4Kbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 1K x 4 |
机械
| 封装 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-CDIP |
| 供应商器件封装 | 18-CDIP |
环境
| 工作温度 | -55°C~125°C(TA) |
|---|