SPD08N50C3

Infineon Technologies

SPD08N50C3

Datasheet

模拟与电源

COOLMOS, 7.6A, 500V, 0.6OHM, N-C

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 350µA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Tc)
最大功耗83W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-313

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)