SPB80P06PGATMA1

Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5033 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	SIPMOS®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5.5mA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
最大功耗	340W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)