SP001434884

Infineon Technologies

SP001434884

Datasheet

模拟与电源

IPN60R1K0CEATMA1 - MOSFET

在产TO-261-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™ CE
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 130µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
最大功耗5W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-261-3
供应商器件封装PG-SOT223

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)