IST015N06NM5AUMA1

Infineon Technologies

IST015N06NM5AUMA1

Datasheet

模拟与电源

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V

在产5-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 95µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 242A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 167W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-5-1

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)