IST006N04NM6AUMA1

Infineon Technologies

IST006N04NM6AUMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5

在产5-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.6mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8800 pF @ 20 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 6
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Ta), 475A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 250W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-5-1

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)