ISP25DP06NMXTSA1

Name: ISP25DP06NMXTSA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1.9A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 30 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.9A (Ta)
最大功耗	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)