ISP20EP10LMXTSA1

Infineon Technologies

ISP20EP10LMXTSA1

Datasheet

模拟与电源

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 600mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 78µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C650mA (Ta), 990mA (Tc)
最大功耗1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223-4

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)