ISP13DP06NMSATMA1

Infineon Technologies

ISP13DP06NMSATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号ISP13DP06
FET TypeP-Channel
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装PG-SOT223