ISC0804NLSATMA1

Infineon Technologies

ISC0804NLSATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
系列448
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 28µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 59A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 60W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)