ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

ISC0703NLSATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 32A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列OptiMOS™ 5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 15µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 57A (Tc)
最大功耗3W (Ta), 44W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)