IRLR3802PBF

Infineon Technologies

IRLR3802PBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 84A DPAK

已停产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2490 pF @ 6 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C84A (Tc)
最大功耗88W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装D-Pak

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)