IRLMS2002

Infineon Technologies

IRLMS2002

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6

停产/老旧SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号IRLMS200
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1310 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装Micro6™(SOT23-6)