IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

IRLML6344TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装Micro3™/SOT-23

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)