IRLML0100TRPBF

Infineon Technologies

IRLML0100TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 25µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装Micro3™/SOT-23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)