IRL40DM247XTMA1

Infineon Technologies

IRL40DM247XTMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH <= 40V

在产DirectFET™ Isometric ME模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.82mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8400 pF @ 20 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Ta), 211A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 63W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDirectFET™ Isometric ME
供应商器件封装MG-WDSON-8-904

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)