IRL3102STRLPBF

Infineon Technologies

IRL3102STRLPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 37A, 7V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61A (Tc)
最大功耗89W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)