IRFR3412TRPBF

Infineon Technologies

IRFR3412TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 48A DPAK

停产/老旧TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 29A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3430 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
系列448
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
最大功耗140W (Tc)

机械

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA (DPAK)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)