IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

IRFML8244TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 10µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)