通用
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| 最大功耗 | 1W (Ta) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
环境
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|