IRFL4105

Name: IRFL4105
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.7A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
最大功耗	1W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)