IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

在产6-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 3.1A, 10V
基础料号IRFHS9351
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max1.4W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
供应商器件封装6-PQFN Dual (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)