IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

停产/老旧32-PowerWFQFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V
基础料号IRFHE4250
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列FASTIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Power - Max156W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case32-PowerWFQFN
供应商器件封装32-PQFN (6x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)