IRFH8316TRPBF

Infineon Technologies

IRFH8316TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.95mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3610 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 50µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 50A (Tc)
最大功耗3.6W (Ta), 59W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)