IRFH7882TRPBF

Infineon Technologies

IRFH7882TRPBF

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN

停产/老旧8-VQFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3186 pF @ 40 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列FASTIRFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta)
最大功耗4W (Ta), 195W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-VQFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)