IRFH4253DTRPBF

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN

已停产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
基础料号IRFH4253
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1314pF @ 13V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A, 145A
Power - Max31W, 50W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)