IRFH3702TRPBF

Infineon Technologies

IRFH3702TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN

已停产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1510 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 42A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-PQFN (3x3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)