IRF9540NLPBF

Infineon Technologies

IRF9540NLPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 23A TO262

在产TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs117mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 110W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装TO-262

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)