IRF9520NPBF

Infineon Technologies

IRF9520NPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 4A, 10V
基础料号IRF9520
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB