IRF9393TRPBF

Infineon Technologies

IRF9393TRPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.3mOhm @ 9.2A, 20V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A (Ta)
最大功耗2.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)