IRF9358PBF

Infineon Technologies

IRF9358PBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO

已停产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.3mOhm @ 9.2A, 10V
基础料号IRF9358
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1740pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A
Power - Max2W

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)