IRF7809

Infineon Technologies

IRF7809

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 16 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.6A (Ta)
最大功耗3.5W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO