IRF7779L2TRPBF

Name: IRF7779L2TRPBF
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

在产DirectFET™ Isometric L8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 40A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6660 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	67A (Tc)
最大功耗	3.3W (Ta), 125W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)