IRF7756

Infineon Technologies

IRF7756

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
基础料号IRF775
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1W

机械

封装Tube
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)