IRF7663

Infineon Technologies

IRF7663

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

停产/老旧8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2520 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商器件封装Micro8™