IRF7555TRPBF

Infineon Technologies

IRF7555TRPBF

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8

停产/老旧8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
基础料号IRF7555
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1066pF @ 10V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A
Power - Max1.25W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商器件封装Micro8™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)