IRF7521D1

Infineon Technologies

IRF7521D1

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

停产/老旧8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 15 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列FETKY™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta)
最大功耗1.3W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商器件封装Micro8™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)