IRF7459

Name: IRF7459
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 12A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2480 pF @ 10 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	HEXFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
最大功耗	2.5W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)