IRF7433

Infineon Technologies

IRF7433

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 8.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1877 pF @ 10 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.9A (Ta)
最大功耗2.5W (Ta)

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)