IRF7379

Infineon Technologies

IRF7379

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5.8A, 10V
基础料号IRF737
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A, 4.3A
Power - Max2.5W

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)