IRF7306PBF

Infineon Technologies

IRF7306PBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO

已停产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.8A, 10V
基础料号IRF73
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 25V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A
Power - Max2W

机械

封装Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)