IRF6723M2DTR1P

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFETMA

停产/老旧DirectFET™ Isometric MA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
基础料号IRF6723
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max2.7W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric MA
供应商器件封装DIRECTFET™ MA

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)