IRF6668TR1

Infineon Technologies

IRF6668TR1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ

停产/老旧DirectFET™ Isometric MZ模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 89W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric MZ
供应商器件封装DIRECTFET™ MZ

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)