IRF6644

Infineon Technologies

IRF6644

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

停产/老旧DirectFET™ Isometric MN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2210 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 150µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 60A (Tc)
最大功耗2.8W (Ta), 89W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseDirectFET™ Isometric MN
供应商器件封装DIRECTFET™ MN

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)