IRF6215STRLPBF

Infineon Technologies

IRF6215STRLPBF

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

已停产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 6.6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 110W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)