IRF6156

Infineon Technologies

IRF6156

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 6FLIPFET

已停产6-FlipFet™模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 6.5A, 4.5V
基础料号IRF615
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A
Power - Max2.5W

机械

封装Bulk
Package / Case6-FlipFet™
供应商器件封装6-FlipFet™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)