通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 7.9A, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | IRF615 |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | HEXFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A |
| Power - Max | 3W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 16-WFBGA |
| 供应商器件封装 | 16-FlipFet™ |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|