IRF5851

Infineon Technologies

IRF5851

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.7A, 4.5V
基础料号IRF58
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列HEXFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A, 2.2A
Power - Max960mW

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP