IRF5850

Infineon Technologies

IRF5850

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
基础料号IRF58
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max960mW

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP